التفاصيل الفنية

• Q @ التردد 8Gbit (NAND), 4Gbit (LPDRAM)
• مادة الغلاف Non-Volatile, Volatile
• عزم الدوران - برغي -40°C ~ 85°C (TA)
• القطر - الداخلي 1.7V ~ 1.95V
• وظيفة - الإضاءة FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• الجهد - VCCB 200 MHz
• ذاكرة FLASH, RAM
• Parallel
• 512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
• Not Verified