- Modelo de producto THGJFLT1E45BATP
- Marca Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- Descripción 256GB UFS V4.0 GEN12
- Clasificación Memoria
Inventario:1500
Detalles técnicos
- Tipo de Montaje 153-WFBGA
- Número de Vueltas Surface Mount
- Q @ Frec 4Tbit
- Material de la Cáscara Non-Volatile
- Torque - Tornillo -25°C ~ 85°C
- Diámetro - Interior 2.4V ~ 2.7V
- Función - Iluminación FLASH - NAND (TLC)
- Voltaje - VCCB 2.32 GHz
- Memoria FLASH
- Voltaje máximo de CA 153-WFBGA (11.5x13)
- UFS 4.0
- 512G x 8