Detalles técnicos

• Q @ Frec 8Gbit (NAND), 4Gbit (LPDRAM)
• Material de la Cáscara Non-Volatile, Volatile
• Torque - Tornillo -40°C ~ 85°C (TA)
• Diámetro - Interior 1.7V ~ 1.95V
• Función - Iluminación FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Voltaje - VCCB 200 MHz
• Memoria FLASH, RAM
• Parallel
• 512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
• Not Verified