技術的な詳細

• 実装タイプ 107-TFBGA
• 巻数 Surface Mount
• Q @ 周波数 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM)
• シェル材料 Non-Volatile, Volatile
• トルク - スクリュー -40°C ~ 85°C (TA)
• 直径 - 内部 1.7V ~ 1.95V
• 機能 - 照明 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• 电压 - VCCB 200 MHz
• メモリ FLASH, RAM
• 最大AC電圧 107-TFBGA
• Parallel
• 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM)
• Not Verified