技術的な詳細

• 巻数 Surface Mount
• Q @ 周波数 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDRAM)
• シェル材料 Non-Volatile, Volatile
• トルク - スクリュー -40°C ~ 85°C (TA)
• 直径 - 内部 1.7V ~ 1.95V
• 機能 - 照明 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• 电压 - VCCB 200 MHz
• メモリ FLASH, RAM
• Parallel
• 512M x 8 (NAND), 256M x 16 (LPDRAM)
• Not Verified