기술적 세부 사항

• 장착 유형 107-VFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 1Gbit (NAND), 1Gbit (LPDRAM)
• 쉘 재료 Non-Volatile, Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
• 기능 - 조명 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• 전압 - VCCB 166 MHz
• 메모리 FLASH, RAM
• 최대 교류 전압 107-VFBGA
• Parallel
• 128M x 8 (NAND), 64M x 16 (LPDRAM)
• Not Verified