기술적 세부 사항

• Q @ 주파수 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDRAM)
• 쉘 재료 Non-Volatile, Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
• 기능 - 조명 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• 전압 - VCCB 200 MHz
• 메모리 FLASH, RAM
• Parallel
• 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
• Not Verified