기술적 세부 사항

• 주파수 범위 Leap Year, NVSRAM
• Q @ 주파수 512KB
• 삽입 재료 Parallel
• 유전체 재료 Phantom Time Chip
• 토크 - 나사 0°C ~ 70°C
• 직경 - 내부 2.97V ~ 3.63V
• 행 간격 - 결합 HH:MM:SS:hh (12/24 hr)
• 로드된 포지션 수 YY-MM-DD-dd
• 직경 - 외부, 비확장 3V
• 베이스 오일 7mA @ 3.3V
• Not Verified