기술적 세부 사항

• 장착 유형 137-TFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDRAM)
• 쉘 재료 Non-Volatile, Volatile
• 토크 - 나사 -25°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
• 기능 - 조명 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• 전압 - VCCB 200 MHz
• 메모리 FLASH, RAM
• 최대 교류 전압 137-TFBGA (10.5x13)
• Parallel
• 512M x 8 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
• Not Verified