기술적 세부 사항

• 장착 유형 56-VFQFN Exposed Pad
• 와이어 게이지 1
• 턴 수 Surface Mount
• 갱 수 CML, CMOS, HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL, SSTL
• 유전체 재료 Fanout Buffer (Distribution), Divider, Multiplexer
• 센싱 거리 CMOS, Crystal
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C
• 직경 - 내부 1.71V ~ 3.465V
• 필라멘트 재료 4:6
• 필라멘트 직경 Yes/Yes
• 최대 교류 전압 56-QFN (8x8)
• 1.035 GHz