Технические детали

• Q @ Freq 8Gbit (NAND), 4Gbit (LPDRAM)
• Материал оболочки Non-Volatile, Volatile
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
• Диаметр - Внутренний 1.7V ~ 1.95V
• Функция - Освещение FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Напряжение - VCCB 200 MHz
• Память FLASH, RAM
• Parallel
• 512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
• Not Verified